在芯片制造方面(miàn),由于華爲和中芯國(guó)際被(bèi)列入美國(guó)政府的實體清單(分别是中國(guó)最先進(jìn)的芯片設計和代工),中國(guó)半導體産業受到了不小的影響。由于這(zhè)一變化,從 2020 年 9 月到 2021 年 11 月,中國(guó)晶圓制造商在成(chéng)熟節點(>=14nm)上增加了近 50 萬片/月的晶圓(WPM)産能(néng),而在先進(jìn)節點上僅增加了 1 萬片産能(néng)。僅中國(guó)的晶圓産能(néng)增長(cháng)就占全球總量的 26% 。2021 年,中國(guó)也開(kāi)始了國(guó)産移動 19nm DDR4 DRAM 設備和 64 層 3D NAND 閃存芯片的商業出貨,并開(kāi)始了 128 層産品嘗試。雖然中國(guó)存儲器行業仍處于發(fā)展初期,但預計中國(guó)存儲器企業在未來五年内將(jiāng)實現 40-50% 的年複合增長(cháng)率并具有很強的競争力。在後(hòu)端生産方面(miàn),中國(guó)是外包組裝、封裝和測試 (OSAT) 的全球領導者,其前三大 OSAT 參與者合計占據全球市場份額的 35% 以上。種(zhǒng)種(zhǒng)迹象表明,中國(guó)半導體芯片銷售的快速增長(cháng)很可能(néng)會(huì)持續,這(zhè)在很大程度上歸功于政府的堅定承諾以及面(miàn)對(duì)不斷惡化的美中關系的強有力的政策支持。盡管中國(guó)要趕上現有的行業領導者還(hái)有很長(cháng)的路要走——尤其是在先進(jìn)節點代工生産、設備和材料方面(miàn)——但随著(zhe)北京加強對(duì)半導體自力更生的關注,預計未來十年差距將(jiāng)進(jìn)一步縮小。